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  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200a 雑誌掲載論文
  3. 学術雑誌

電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析

http://hdl.handle.net/2237/12703
http://hdl.handle.net/2237/12703
7b39c8df-f9a5-4132-8549-3bce7a0bea9b
名前 / ファイル ライセンス アクション
j87-c_8_616.pdf j87-c_8_616.pdf (1.4 MB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2010-02-19
タイトル
タイトル 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析
言語 ja
その他のタイトル
その他のタイトル Analysis of Stressed-Gate SiO_2 Films with Electron Injection by Conductive Atomic Force Microscopy
言語 en
著者 世古, 明義

× 世古, 明義

WEKO 32661

ja 世古, 明義

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渡辺, 行彦

× 渡辺, 行彦

WEKO 32662

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近藤, 博基

× 近藤, 博基

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酒井, 朗

× 酒井, 朗

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ja 酒井, 朗

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財満, 鎭明

× 財満, 鎭明

WEKO 32665

ja 財満, 鎭明

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安田, 幸夫

× 安田, 幸夫

WEKO 32666

ja 安田, 幸夫

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利
言語 en
権利情報 Copyright 2004 IEICE
キーワード
主題Scheme Other
主題 シリコン酸化膜
キーワード
主題Scheme Other
主題 電流検出型原子間力顕微鏡法
キーワード
主題Scheme Other
主題 信頼性
キーワード
主題Scheme Other
主題 ストレス誘起リーク電流
キーワード
主題Scheme Other
主題 トラップ
抄録
内容記述 電流検出型原子間力顕微鏡法 (Conductive Atomic Force Microscopy :C-AFM)を用いて,Metal-Oxide-Semiconductor(MOS)キャパシタで観測される絶縁膜劣化を,ナノスケールで直接観察する手法を開発した.定電流ストレスを印加したシリコン酸化膜を本手法によって観察した結果,Stress-Induced Leakage Current (SILC)に関連した局所リーク電流スポットが観測された.これにより,ストレス誘起される膜中欠陥の局所性と分布,それらに起因した局所的なリーク伝導機構を実験的に明らかにした.
言語 ja
内容記述タイプ Abstract
出版者
言語 ja
出版者 電子情報通信学会
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプresource http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://www.ieice.org/jpn/trans_online/index.html
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 1345-2827
書誌情報 ja : 電子情報通信学会論文誌

巻 J87-C, 号 8, p. 616-624, 発行日 2004-08-01
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
値 publisher
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/12703
識別子タイプ HDL
URI
識別子 http://www.ieice.org/jpn/trans_online/index.html
識別子タイプ URI
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Ver.1 2021-03-01 19:17:44.135836
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