電子温度制御プラズマによるラジカルの単色化に関する研究

後藤, 俊夫; 堀, 勝; 伊藤, 昌文

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電子温度制御プラズマによるラジカルの単色化に関する研究

http://hdl.handle.net/2237/13114

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	11305004.pdf (3.2 MB)

Item type

研究報告書 / Research Paper(1)

公開日

2010-04-15

タイトル

電子温度制御プラズマによるラジカルの単色化に関する研究

言語

著者

後藤, 俊夫

堀, 勝
伊藤, 昌文

キーワード

主題Scheme

Other

主題

CVD

キーワード

主題Scheme

Other

主題

electron temperature

キーワード

主題Scheme

Other

主題

etching

キーワード

主題Scheme

Other

主題

gas phase reaction

キーワード

主題Scheme

Other

主題

plasma

キーワード

主題Scheme

Other

主題

process

キーワード

主題Scheme

Other

主題

radical

キーワード

主題Scheme

Other

主題

selective production

キーワード

主題Scheme

Other

主題

エッチング

キーワード

主題Scheme

Other

主題

プラズマ

キーワード

主題Scheme

Other

主題

プロセス

キーワード

主題Scheme

Other

主題

ラジカル

キーワード

主題Scheme

Other

主題

単色化

キーワード

主題Scheme

Other

主題

気相反応

キーワード

主題Scheme

Other

主題

電子温度

抄録

内容記述タイプ

Abstract

内容記述

プラズマ中のラジカルの単色化をガスとプラズマとの組み合わせによって、実現し、下記の成果を得た。 1.電子ビーム励起プラズマ(EBEP)により窒素プラズマを生成し、励起電流と加速電圧により窒素ラジカル密度の直接制御が可能であり、極低圧下での高密度窒素ラジカル源として非常に有効であることが明らかとなった。さらに、多孔グリッドを用いた小型のEBEPを開発し、極低圧下での高密度窒素ラジカル源のみではなくダイヤモンドライクカーボン(DLC)の成膜プロセスやガラス基板の表面クリーニングプロセスへの応用を図り、ポリマー成分の少ない特性の DLCのCVD成膜を電気的に浮いたディスク基板の両面に行うことに成功した。 2.ダイヤモンドプロセスにおいてはCH_3、H、OHラジカル等をCラジカルに対して密度を増やす(単色化する)ことと、イオンに対する中性ラジカルの比を制御することで1.3Paという低圧力においてナノ結晶ダイヤモンドの合成にはじめて成功した。 3.微結晶シリコンプロセスにおいては、UHF帯(500MHz)のシラン/水素プラズマにおいて、0.5eVの低電子温度を実現し、プラズマをパルス変調することによってHラジカルに対するSiラジカルの比(Si/H)が精密に制御できることを見出した。また、Si/H比の制御とSiH_3/H比の制御により、微結晶シリコン膜の結晶化率と結晶配向性の両者を制御できることを見出した。これにより、結晶化率94%で(111)あるいは(220)配向を有する多結晶シリコン薄膜を合成することに成功した。 4.低誘電率有機薄膜極微細加工プロセスおいては、500MHzのUHF帯プラズマを用いることにより従来の13.56MHzのプラズマに対して N_2/H_2/NH_3プラズマ中でNラジカル密度を飛躍的に増加できることを見出し、この単色化ラジカルプロセスを用いることにより低誘電率有機薄膜の異方性極微細加工を実現した。

内容記述

内容記述タイプ

Other

内容記述

科学研究費補助金研究種目:基盤研究(A)(2) 課題番号:11305004 研究代表者:後藤俊夫研究期間:1999-2001年度

言語

jpn

資源タイプ

資源

http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws

タイプ

research report

書誌情報

発行日 2002-03

フォーマット

application/pdf

著者版フラグ

値

publisher

シリーズ

Versions

Ver.1

2021-03-01 19:10:19.803198

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電子温度制御プラズマによるラジカルの単色化に関する研究

× 後藤, 俊夫

× 堀, 勝

× 伊藤, 昌文

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