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ヘテロエピタキシャル成長におけるミスフィット転位と島状構造
http://hdl.handle.net/2237/20582
http://hdl.handle.net/2237/20582756ac267-04b0-4e24-a458-c6071e19a6ce
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
110008686949.pdf (1.0 MB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2014-10-01 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | ヘテロエピタキシャル成長におけるミスフィット転位と島状構造 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Growth Modes with Misfit Dislocations in Heteroepitaxy | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者 |
勝野, 弘康
× 勝野, 弘康× 上羽, 牧夫× 齋藤, 幸夫× Katsuno, Hiroyasu× Uwaha, Makio× Saito, Yukio |
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| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
| 権利 | ||||||
| 言語 | ja | |||||
| 権利情報 | (c)日本結晶成長学会 | |||||
| 権利 | ||||||
| 言語 | ja | |||||
| 権利情報 | 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 転位を持つヘテロエピタキシャル成長の表面形態について2次元弾性格子模型を用いたこれまでの研究を紹介する.転位が作る結晶中の非一様な歪み場により,吸着原子は特定のサイトに集められる.その結果,平坦な表面上での次の層の核生成サイトが,転位直上もしくは転位間の中間位置の2つの場合に分かれる.また,いくつかの吸着量でエネルギー最低となる平衡形状を決めることで,吸着物結晶の成長様式を推測した.表面を完全に濡らす通常の半導体結晶の組み合わせを想定すると,格子不整合が大きくなるにつれ,Frank-van der Merwe (FM)成長,Stranski-Krastanov (SK)成長,転位を含むSK成長,転位を含むFM成長と変化する.また,SK成長と転位を含むFM成長間の領域で一時的に島状構造が現れうることがわかった. | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | We study equilibrium shapes of adsorbate crystals by allowing a possibility of dislocations on an elastic substrate in a two-dimensional lattice model. On a flat adsorbate surface with a periodic array of misfit dislocations, the preferential adsorption site is found to be either on the top or at the midpoint of the dislocations depending on the sign of the force dipole moment of the adatom and the sign of the misfit parameter. From the equilibrium shapes determined for various coverages, we infer the growth mode. As the misfit parameter increases, the growth mode changes from the Frank-van der Merwe (FM) to the Stranski-Krastanov (SK), further to the FM with dislocations for a parameter range of ordinary semiconductor materials. Conceivable growth modes such as the SK with dislocations appear in a parameter range between the SK and the FM with dislocations. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 日本結晶成長学会 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプresource | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| タイプ | journal article | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 関連情報 | ||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110008686949 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
| 収録物識別子 | 03856275 | |||||
| 書誌情報 |
ja : 日本結晶成長学会誌 巻 38, 号 2, p. 121-127, 発行日 2011-07 |
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| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | publisher | |||||
| URI | ||||||
| 識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110008686949 | |||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| URI | ||||||
| 識別子 | http://hdl.handle.net/2237/20582 | |||||
| 識別子タイプ | HDL | |||||
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Cite as
勝野, 弘康, 上羽, 牧夫, 齋藤, 幸夫, Katsuno, Hiroyasu, Uwaha, Makio, Saito, Yukio, 2011, ヘテロエピタキシャル成長におけるミスフィット転位と島状構造: 日本結晶成長学会, 121–127 p.
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