WEKO3
アイテム
縦型GaNパワーデバイス実現に向けたICP-RIEを用いたトレンチ形成プロセスに関する研究
http://hdl.handle.net/2237/0002000421
http://hdl.handle.net/2237/0002000421781b327e-ca28-4d53-ae87-83b671514838
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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k13610_abstract.pdf (1.6 MB)
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k13610_review.pdf (167 KB)
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k13610_summary.pdf (294 KB)
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| Item type | itemtype_ver1(1) | |||||||
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| 公開日 | 2021-08-12 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | 縦型GaNパワーデバイス実現に向けたICP-RIEを用いたトレンチ形成プロセスに関する研究 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| その他のタイトル | ||||||||
| その他のタイトル | Study on trench formation by inductively coupled plasma reactive ion etching for realization of vertical GaN power devices | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| 著者 |
山田, 真嗣
× 山田, 真嗣
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| アクセス権 | ||||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | jpn | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||||
| 書誌情報 |
発行日 2021-03-25 |
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| 学位名 | ||||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||||
| 学位授与機関 | ||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||
| 学位授与機関識別子 | 13901 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 学位授与機関名 | 名古屋大学 | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| 学位授与機関名 | NAGOYA University | |||||||
| 学位授与年度 | ||||||||
| 値 | 2020 | |||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||
| 学位授与年月日 | 2021-03-25 | |||||||
| 学位授与番号 | ||||||||
| 学位授与番号 | 甲第13610号 | |||||||
