ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

{"_buckets": {"deposit": "ef0ef555-a221-4ef6-9bf5-0125acad175a"}, "_deposit": {"id": "21441", "owners": [], "pid": {"revision_id": 0, "type": "depid", "value": "21441"}, "status": "published"}, "_oai": {"id": "oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00021441", "sets": ["322"]}, "author_link": ["62256", "62257", "62258", "62259", "62260", "62261", "62262", "62263", "62264", "62265", "62266", "62267", "62268", "62269"], "item_10_alternative_title_19": {"attribute_name": "その他のタイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_alternative_title": "Resistive Switching Properties of Si-Oxide Thin Films Prepared by RF Sputtering", "subitem_alternative_title_language": "en"}]}, "item_10_biblio_info_6": {"attribute_name": "書誌情報", "attribute_value_mlt": [{"bibliographicIssueDates": {"bibliographicIssueDate": "2011-06-27", "bibliographicIssueDateType": "Issued"}, "bibliographicIssueNumber": "114", "bibliographicPageEnd": "102", "bibliographicPageStart": "97", "bibliographicVolumeNumber": "111", "bibliographic_titles": [{"bibliographic_title": "電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス", "bibliographic_titleLang": "ja"}]}]}, "item_10_description_4": {"attribute_name": "抄録", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "RFスパッタにより形成したSiO_x厚さ:8〜40nm)をPt電極で挟んだMIMキャパシタにおいて、電圧掃引による電流変化から抵抗変化動作を評価した。フォーミングと呼ばれる絶縁破壊に類似した初期低抵抗化の後、高抵抗状態(High Resistance State:HRS)と低抵抗状態(Low Resistance State:LRS)を繰り返すノンポーラ型のスイッチングを観測した。SiO_x膜厚が20nm以上の領域では、フォーミング電圧は膜厚に対しほぼ線形に増大し、〜2MV/cmでほぼ一定であった。また、SiO_xを用いたReRAMでは、同様の条件で作成したTiO_xに比べ、ON/OFF比の高い抵抗変化動作を観測した。p型およびn型Si基板上に作製したMOS構造では、n型基板を用いた試料に正電圧印加した場合のみに抵抗変化特性が確認され、Pt/SiO_x界面への電子注入と酸素欠陥により抵抗変化が誘起される可能性が示唆された。", "subitem_description_language": "ja", "subitem_description_type": "Abstract"}, {"subitem_description": "Resistance-switching properties of RF sputtered Si-rich oxides sandwiching with Pt electrodes have been studided in comparison to the TiO_x case. By sweeping bias to the top Pt electrode, non-polar type resistance-switching behavior was observed after a forming process. In SiO_x thickenss region from 20 to 40nm, the electrical field for the forming process was almost constant at 〜2MV/cm. The current levels in both the high resistance state (HRS) and the low resistance state (LRS) for Pt/SiO_x/Pt were markedly smaller than those for the Pt/TiO_x/Pt structure. And, even with decreasing SiO_x thickness down to 〜8nm, the ON/OFF ratio in resistance-switching between HRS and LRS was maintained to be as large as 〜10^3. The current-voltage characteristics for Pt/SiO_x on p-Si(100) and n-Si(100) suggest that the reduction and oxidation reaction induced by electron fluence near the Pt/SiO_x interface is responsible for obtaining the resistance-switching behavior.", "subitem_description_language": "en", "subitem_description_type": "Abstract"}]}, "item_10_identifier_60": {"attribute_name": "URI", "attribute_value_mlt": [{"subitem_identifier_type": "URI", "subitem_identifier_uri": "http://ci.nii.ac.jp/naid/110008800863/"}, {"subitem_identifier_type": "HDL", "subitem_identifier_uri": "http://hdl.handle.net/2237/23571"}]}, "item_10_publisher_32": {"attribute_name": "出版者", "attribute_value_mlt": [{"subitem_publisher": "一般社団法人電子情報通信学会", "subitem_publisher_language": "ja"}]}, "item_10_relation_43": {"attribute_name": "関連情報", "attribute_value_mlt": [{"subitem_relation_type": "isVersionOf", "subitem_relation_type_id": {"subitem_relation_type_id_text": "http://ci.nii.ac.jp/naid/110008800863/", "subitem_relation_type_select": "URI"}}]}, "item_10_rights_12": {"attribute_name": "権利", "attribute_value_mlt": [{"subitem_rights": "(c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである", "subitem_rights_language": "ja"}]}, "item_10_select_15": {"attribute_name": "著者版フラグ", "attribute_value_mlt": [{"subitem_select_item": "publisher"}]}, "item_10_source_id_7": {"attribute_name": "ISSN", "attribute_value_mlt": [{"subitem_source_identifier": "09135685", "subitem_source_identifier_type": "PISSN"}]}, "item_1615787544753": {"attribute_name": "出版タイプ", "attribute_value_mlt": [{"subitem_version_resource": "http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85", "subitem_version_type": "VoR"}]}, "item_access_right": {"attribute_name": "アクセス権", "attribute_value_mlt": [{"subitem_access_right": "open access", "subitem_access_right_uri": "http://purl.org/coar/access_right/c_abf2"}]}, "item_creator": {"attribute_name": "著者", "attribute_type": "creator", "attribute_value_mlt": [{"creatorNames": [{"creatorName": "大田, 晃生", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62256", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "後藤, 優太", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62257", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "西垣, 慎吾", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62258", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "尉, 国浜", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62259", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "村上, 秀樹", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62260", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "東, 清一郎", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62261", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "宮崎, 誠一", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62262", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Ohta, A.", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62263", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Goto, Y.", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62264", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Nishigaki, S.", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62265", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Wei, G.", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62266", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Murakami, H.", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62267", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Higashi, S.", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62268", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Miyazaki, S.", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62269", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}]}, "item_files": {"attribute_name": "ファイル情報", "attribute_type": "file", "attribute_value_mlt": [{"accessrole": "open_date", "date": [{"dateType": "Available", "dateValue": "2018-02-21"}], "displaytype": "detail", "download_preview_message": "", "file_order": 0, "filename": "110008800863.pdf", "filesize": [{"value": "828.4 kB"}], "format": "application/pdf", "future_date_message": "", "is_thumbnail": false, "licensetype": "license_note", "mimetype": "application/pdf", "size": 828400.0, "url": {"label": "110008800863.pdf", "objectType": "fulltext", "url": "https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/21441/files/110008800863.pdf"}, "version_id": "94ee5a5d-8d52-415b-be95-1ec0a38aba47"}]}, "item_keyword": {"attribute_name": "キーワード", "attribute_value_mlt": [{"subitem_subject": "抵抗変化型メモリ(ReRAM)", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Si酸化膜", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Pt電極", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "RFスパッタリング", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Resistive Random Access Memory(ReRAM)", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Si Oxide", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Pt Electrode", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "RF Sputtering", "subitem_subject_scheme": "Other"}]}, "item_language": {"attribute_name": "言語", "attribute_value_mlt": [{"subitem_language": "jpn"}]}, "item_resource_type": {"attribute_name": "資源タイプ", "attribute_value_mlt": [{"resourcetype": "journal article", "resourceuri": "http://purl.org/coar/resource_type/c_6501"}]}, "item_title": "RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)", "item_titles": {"attribute_name": "タイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_title": "RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)", "subitem_title_language": "ja"}]}, "item_type_id": "10", "owner": "1", "path": ["322"], "permalink_uri": "http://hdl.handle.net/2237/23571", "pubdate": {"attribute_name": "PubDate", "attribute_value": "2016-02-24"}, "publish_date": "2016-02-24", "publish_status": "0", "recid": "21441", "relation": {}, "relation_version_is_last": true, "title": ["RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)"], "weko_shared_id": -1}
  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200a 雑誌掲載論文
  3. 学術雑誌

RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

http://hdl.handle.net/2237/23571
http://hdl.handle.net/2237/23571
a052fa68-a09d-4c08-9cc5-65ec51ca0ec5
名前 / ファイル ライセンス アクション
110008800863.pdf 110008800863.pdf (828.4 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2016-02-24
タイトル
タイトル RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
言語 ja
その他のタイトル
その他のタイトル Resistive Switching Properties of Si-Oxide Thin Films Prepared by RF Sputtering
言語 en
著者 大田, 晃生

× 大田, 晃生

WEKO 62256

ja 大田, 晃生

Search repository
後藤, 優太

× 後藤, 優太

WEKO 62257

ja 後藤, 優太

Search repository
西垣, 慎吾

× 西垣, 慎吾

WEKO 62258

ja 西垣, 慎吾

Search repository
尉, 国浜

× 尉, 国浜

WEKO 62259

ja 尉, 国浜

Search repository
村上, 秀樹

× 村上, 秀樹

WEKO 62260

ja 村上, 秀樹

Search repository
東, 清一郎

× 東, 清一郎

WEKO 62261

ja 東, 清一郎

Search repository
宮崎, 誠一

× 宮崎, 誠一

WEKO 62262

ja 宮崎, 誠一

Search repository
Ohta, A.

× Ohta, A.

WEKO 62263

en Ohta, A.

Search repository
Goto, Y.

× Goto, Y.

WEKO 62264

en Goto, Y.

Search repository
Nishigaki, S.

× Nishigaki, S.

WEKO 62265

en Nishigaki, S.

Search repository
Wei, G.

× Wei, G.

WEKO 62266

en Wei, G.

Search repository
Murakami, H.

× Murakami, H.

WEKO 62267

en Murakami, H.

Search repository
Higashi, S.

× Higashi, S.

WEKO 62268

en Higashi, S.

Search repository
Miyazaki, S.

× Miyazaki, S.

WEKO 62269

en Miyazaki, S.

Search repository
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利
言語 ja
権利情報 (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
キーワード
主題Scheme Other
主題 抵抗変化型メモリ(ReRAM)
キーワード
主題Scheme Other
主題 Si酸化膜
キーワード
主題Scheme Other
主題 Pt電極
キーワード
主題Scheme Other
主題 RFスパッタリング
キーワード
主題Scheme Other
主題 Resistive Random Access Memory(ReRAM)
キーワード
主題Scheme Other
主題 Si Oxide
キーワード
主題Scheme Other
主題 Pt Electrode
キーワード
主題Scheme Other
主題 RF Sputtering
抄録
内容記述 RFスパッタにより形成したSiO_x厚さ:8〜40nm)をPt電極で挟んだMIMキャパシタにおいて、電圧掃引による電流変化から抵抗変化動作を評価した。フォーミングと呼ばれる絶縁破壊に類似した初期低抵抗化の後、高抵抗状態(High Resistance State:HRS)と低抵抗状態(Low Resistance State:LRS)を繰り返すノンポーラ型のスイッチングを観測した。SiO_x膜厚が20nm以上の領域では、フォーミング電圧は膜厚に対しほぼ線形に増大し、〜2MV/cmでほぼ一定であった。また、SiO_xを用いたReRAMでは、同様の条件で作成したTiO_xに比べ、ON/OFF比の高い抵抗変化動作を観測した。p型およびn型Si基板上に作製したMOS構造では、n型基板を用いた試料に正電圧印加した場合のみに抵抗変化特性が確認され、Pt/SiO_x界面への電子注入と酸素欠陥により抵抗変化が誘起される可能性が示唆された。
言語 ja
内容記述タイプ Abstract
抄録
内容記述 Resistance-switching properties of RF sputtered Si-rich oxides sandwiching with Pt electrodes have been studided in comparison to the TiO_x case. By sweeping bias to the top Pt electrode, non-polar type resistance-switching behavior was observed after a forming process. In SiO_x thickenss region from 20 to 40nm, the electrical field for the forming process was almost constant at 〜2MV/cm. The current levels in both the high resistance state (HRS) and the low resistance state (LRS) for Pt/SiO_x/Pt were markedly smaller than those for the Pt/TiO_x/Pt structure. And, even with decreasing SiO_x thickness down to 〜8nm, the ON/OFF ratio in resistance-switching between HRS and LRS was maintained to be as large as 〜10^3. The current-voltage characteristics for Pt/SiO_x on p-Si(100) and n-Si(100) suggest that the reduction and oxidation reaction induced by electron fluence near the Pt/SiO_x interface is responsible for obtaining the resistance-switching behavior.
言語 en
内容記述タイプ Abstract
出版者
言語 ja
出版者 一般社団法人電子情報通信学会
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプresource http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110008800863/
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 09135685
書誌情報 ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻 111, 号 114, p. 97-102, 発行日 2011-06-27
著者版フラグ
値 publisher
URI
識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110008800863/
識別子タイプ URI
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/23571
識別子タイプ HDL
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2021-03-01 15:22:34.586588
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3