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  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200a 雑誌掲載論文
  3. 学術雑誌

一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

http://hdl.handle.net/2237/23585
http://hdl.handle.net/2237/23585
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名前 / ファイル ライセンス アクション
110009569516.pdf 110009569516.pdf (856.4 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2016-02-24
タイトル
タイトル 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
言語 ja
その他のタイトル
その他のタイトル Formation of One-Dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots and Its Application to Light Emitting Diodes
言語 en
著者 牧原, 克典

× 牧原, 克典

WEKO 62342

ja 牧原, 克典

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池田, 弥央

× 池田, 弥央

WEKO 62343

ja 池田, 弥央

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宮崎, 誠一

× 宮崎, 誠一

WEKO 62344

ja 宮崎, 誠一

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MAKIHAR, Katsunori

× MAKIHAR, Katsunori

WEKO 62345

en MAKIHAR, Katsunori

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IKEDA, Mitsuhisa

× IKEDA, Mitsuhisa

WEKO 62346

en IKEDA, Mitsuhisa

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MIYAZAKI, Seiichi

× MIYAZAKI, Seiichi

WEKO 62347

en MIYAZAKI, Seiichi

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利
言語 ja
権利情報 (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
キーワード
主題Scheme Other
主題 Si量子ドット
キーワード
主題Scheme Other
主題 連結構造
キーワード
主題Scheme Other
主題 発光ダイオード
キーワード
主題Scheme Other
主題 化学気相堆積法
キーワード
主題Scheme Other
主題 Si-based Quantum Dots
キーワード
主題Scheme Other
主題 Self-Aligned Structure
キーワード
主題Scheme Other
主題 Light Emitting Diodes
キーワード
主題Scheme Other
主題 LPCVD
抄録
内容記述 熱SiO_2膜上のSi-QDs上にGeを選択成長させ、酸化・高温熱処理を施した後、SiH_4-LPCVDを行うことによって、自己整合的に一次元連結したSi-QDsを形成することができ、n-Si(100)上に形成した半透明Auゲート一次元連結ドットダイオード構造において、Auゲートから正孔、基板から電子を注入することで、閾値電圧〜1.2V 以上を印加した場合、近赤外光領域での明瞭な室温発光が認められた。さらに、極薄熱SiO_2膜上に縦積連結したSi系量子ドットを超高密度形成(〜10^<13>cm^<-2>)することで、高効率キャリア注入が実現でき、電流密度〜0.15A/cm^2においてEL強度を連結ドット密度〜10^<11>cm^<-2>の場合と比べて〜425倍増大させることが出来た。これは、連結ドット内へ高効率キャリア注入されるためEL効率が向上するとともに、1層目のドット表面熱酸化に伴う体積膨張によって、隣接するドット間がシリコン酸化物で充填され、ドットが埋め込まれた構造となるため、ドットを介さない電流成分が抑制された結果で解釈できる。
言語 ja
内容記述タイプ Abstract
抄録
内容記述 Self-aligned Si quantum dots (Si-QDs) have been successfully fabricated on ultrathin SiO_2 by controlling low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) using pure SiH_4 and/or Si_2H_6, selective Ge LPCVD from 5% GeH_4 diluted with He, thermal oxidation of the dots and subsequent thermal desorption of Ge oxide. In semitransparent Au-gate diodes with self-aligned dots so-prepared, when carriers were injected to the self-aligned Si-QDs from the n-Si(100) substrate for electrons and from the Au top electrode for holes, electroluminescence (EL) in the near-infrared region at room temperature becomes observable with an increase in current at positive biases over a threshold voltage as low as 〜1.2 V at the Au top electrode. Note that, in the case of an areal dot density of 〜10^<13>cm^<-2>, the emission intensity was enhanced markedly by a factor of 〜425 in comparison with the case of 〜10^<11> cm-<-2> under the same current density at 〜0.15A/cm^2. This is clear evidence of not only an increase in radiative recombination rate in the self-aligned structure but also an improvement of recombination efficiency due to a decrease in current leakage with increasing dot density.
言語 en
内容記述タイプ Abstract
出版者
言語 ja
出版者 一般社団法人電子情報通信学会
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプresource http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110009569516/
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0913-5685
書誌情報 ja : 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

巻 112, 号 32, p. 1-6, 発行日 2012-05-10
著者版フラグ
値 publisher
URI
識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110009569516/
識別子タイプ URI
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/23585
識別子タイプ HDL
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Ver.1 2021-03-01 15:22:26.930053
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