WEKO3
アイテム
GeSn系IV族半導体のエピタキシャル成長と結晶欠陥の制御
http://hdl.handle.net/2237/24332
http://hdl.handle.net/2237/24332b5cf2de7-9808-4945-ad8d-63648856c267
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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k11471_summary.pdf (335.1 kB)
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k11471_abstract.pdf (778.2 kB)
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k11471_review.pdf (341.6 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2016-06-07 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | GeSn系IV族半導体のエピタキシャル成長と結晶欠陥の制御 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Control of epitaxial growth and defects of GeSn-related group-IV semiconductors | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者 |
浅野, 孝典
× 浅野, 孝典 |
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| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||
| 書誌情報 |
発行日 2016-03-25 |
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| 学位名 | ||||||
| 言語 | ja | |||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||
| 学位授与機関識別子 | 13901 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 学位授与機関名 | 名古屋大学 | |||||
| 言語 | en | |||||
| 学位授与機関名 | Nagoya University | |||||
| 学位授与年度 | ||||||
| 値 | 2015 | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2016-03-25 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 甲第11471号 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | none | |||||
| URI | ||||||
| 識別子 | http://hdl.handle.net/2237/24332 | |||||
| 識別子タイプ | HDL | |||||
