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アイテム
Molecular beam epitaxy growth of monolayer niobium diselenide flakes
http://hdl.handle.net/2237/25202
http://hdl.handle.net/2237/252029fbb0c73-c276-4c39-95c1-39d77b4ced70
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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1_4963178.pdf ファイル公開:2017/09/26 (2.6 MB)
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Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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公開日 | 2016-12-15 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Molecular beam epitaxy growth of monolayer niobium diselenide flakes | |||||
言語 | en | |||||
著者 |
Hotta, Takato
× Hotta, Takato× Tokuda, Takuto× Zhao, Sihan× Watanabe, Kenji× Taniguchi, Takashi× Shinohara, Hisanori× Kitaura, Ryo |
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アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
権利 | ||||||
言語 | en | |||||
権利情報 | Copyright 2016 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and AIP Publishing.The following article appeared in (APPLIED PHYSICS LETTERS. v.109, n.13, 2016, p.133101) and may be found at (http://dx.doi.org/10.1063/1.4963178). | |||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | Monolayer niobium diselenide (NbSe2) is prepared through molecular beam epitaxy with hexagonal boron nitride (hBN) as substrates. Atomic force microscopy and the Raman spectroscopy have shown that the monolayer NbSe2 grown on the hBN possesses triangular or truncated triangular shape whose lateral size amounts up to several hundreds of nanometers. We have found that the precisely controlled supply rate and ultraflat surface of hBN plays an important role in the growth of the monolayer NbSe2. | |||||
言語 | en | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | AIP Publishing | |||||
言語 | en | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | journal article | |||||
出版タイプ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
DOI | ||||||
関連タイプ | isVersionOf | |||||
識別子タイプ | DOI | |||||
関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.4963178 | |||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
収録物識別子 | 0003-6951 | |||||
書誌情報 |
en : APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 109, 号 13, p. 133101-133101, 発行日 2016-09-26 |
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著者版フラグ | ||||||
値 | publisher | |||||
URI | ||||||
識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.4963178 | |||||
識別子タイプ | DOI | |||||
URI | ||||||
識別子 | http://hdl.handle.net/2237/25202 | |||||
識別子タイプ | HDL |