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  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200d 学位論文
  3. 博士論文(工博・論工博)

Si基板上GaN高周波パワーデバイスに向けたAlN下地層及びGaN層の高品質化に関する研究

http://hdl.handle.net/2237/00028728
http://hdl.handle.net/2237/00028728
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名前 / ファイル ライセンス アクション
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k12499_summary.pdf k12499_summary (300.9 kB)
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2018-10-19
タイトル
タイトル Si基板上GaN高周波パワーデバイスに向けたAlN下地層及びGaN層の高品質化に関する研究
言語 ja
その他のタイトル
その他のタイトル Study on improvement of characteristics of AlN buffer and GaN layers for GaN high frequency power device on Si substrate
言語 en
著者 松本, 光二

× 松本, 光二

WEKO 87234

ja 松本, 光二

Search repository
アクセス権
アクセス権 metadata only access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_14cb
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_db06
タイプ doctoral thesis
書誌情報
発行日 2018-09-27
学位名
言語 ja
学位名 博士(工学)
学位授与機関
学位授与機関識別子Scheme kakenhi
学位授与機関識別子 13901
言語 ja
学位授与機関名 名古屋大学
言語 en
学位授与機関名 Nagoya University
学位授与年度
学位授与年度 2018
学位授与年月日
学位授与年月日 2018-09-27
学位授与番号
学位授与番号 甲第12499号
著者版フラグ
値 none
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Ver.1 2021-03-01 10:58:40.991202
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