WEKO3
アイテム
CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響
http://hdl.handle.net/2237/23511
http://hdl.handle.net/2237/235117346c38e-ac04-4851-bc05-8a30e7ab5e98
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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110009482045.pdf (685.1 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2016-02-22 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Charge distribution near interface of high-k gate insulator in CNFETs | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者 |
鈴木, 耕佑
× 鈴木, 耕佑× 大野, 雄高× 岸本, 茂× 水谷, 孝× SUZUKI, Kosuke× OHNO, Yutaka× KISHIMOTO, Shigeru× MIZUTANI, Takashi |
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| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
| 権利 | ||||||
| 言語 | ja | |||||
| 権利情報 | (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | カーボンナノチューブ | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | ALD | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | high-k | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | ゲート絶縁膜 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 界面 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | carbon nanotube | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | gate insulator | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | interface | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いて調べ、Au電極やSiO_2基板との界面付近に高濃度の正電荷が偏在することを見出している。デバイスシミュレーションにより、これらの界面電荷がCNFETの特性に及ぼす影響について調べ、主にAu電極とゲート絶縁膜との界面に存在する電荷がCNFETの伝導型極性を変化させることを明らかにしている。 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | We have investigated the interface charges generated at the interfaces of the gate insulator in carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) by Kelvin probe force microscopy. It has been found that positive charges are concentrated near the interfaces of the gate insulator with Au electrodes and with a SiO_2 substrate. We have also studied the effect of the positive interface charges on the property of CNFETs, using the device simulation. It has been revealed that the charges at the interface of the gate insulator with the Au electrodes is responsible for the change in the polarity of conduction carriers of CNFETs. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | IEICE Technical Report;ED2011-156, IEICE Technical Report;SDM2011-173 | |||||
| 言語 | en | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 一般社団法人電子情報通信学会 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 関連情報 | ||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110009482045/ | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0913-5685 | |||||
| 書誌情報 |
ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 巻 111, 号 426, p. 83-87, 発行日 2012-01 |
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| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | publisher | |||||
| URI | ||||||
| 識別子 | http://hdl.handle.net/2237/23511 | |||||
| 識別子タイプ | HDL | |||||
