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アイテム
金属/GeO_2界面における化学結合状態の光電子分光分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
http://hdl.handle.net/2237/23574
http://hdl.handle.net/2237/23574ca5ba466-36cd-42e1-8a35-d81e07656c2b
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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110008800857.pdf (760.7 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2016-02-24 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 金属/GeO_2界面における化学結合状態の光電子分光分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) | |||||
| 言語 | ja | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Photoemission Study of Chemical Bonding Features at Metal/GeO_2 Interfaces | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者 |
松井, 真史
× 松井, 真史× 藤岡, 知宏× 大田, 晃生× 村上, 秀樹× 東, 清一郎× 宮崎, 誠一× Matsui, Masafumi× Fujioka, Tomohiro× Ohta, Akio× Murakami, Hideki× Higashi, Seiichiro× Miyazaki, Seiichi |
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| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
| 権利 | ||||||
| 言語 | ja | |||||
| 権利情報 | (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Geチャネル | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | サブオキサイド | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 界面反応 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 化学結合状態 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | X線光電子分光法 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Ge-channel | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Sub-oxide | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Interfacial Reaction | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Chemical Bonding Features | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述 | 熱酸化により形成したGeO_2/Ge(100)界面および金属(Al,AuおよびPt)薄膜形成後のGeO_2との界面化学結合状態をXPS分析により評価した。室温のAl蒸着において、GeO_2初期膜厚(>〜1nm)に関わらず、厚さ〜1nm程度GeO_2が還元されることが明らかになった。初期GeO_2膜厚が1.0nm程度の場合にはGeO_2からAlへの酸素原子の拡散が支配的であり、GeO_2膜厚が1.9nm以上の場合は酸素原子拡散に加えてAl-Ge結合の形成が明瞭に観測された。また、極薄AuおよびPtを熱酸化GeO_2上に堆積した場合、金属/GeO_2界面に熱酸化GeO_2/Ge界面と同等量のサブオキサイド成分(GeO_x:0<x<2)の形成を確認した。 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述 | We have investigated chemical bonding features at thermally-grown GeO_2/Ge(100) and metals (Al, Au and Pt)/GeO_2 interfaces by using high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). After the Al evaporation on GeO_2 thicker than 1.9nm initially, a reduction of GeO_2 accompanied with the generation of Al-Ge bonds was observed near the interface between Al and GeO_2. From the deconvolution of measured Ge3ds/2 spectra taken after physical vapor deposition of Au- and Pt-ultrathin films on thermally-grown GeO_2, we have confirmed the formation of Ge sub-oxide components (GeO_x 0<x<2) at the metal/GeO_2 interfaces being quantitatively comparable to sub-oxides at the thermally-grown GeO_2/Ge(100) interface. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 出版者 | ||||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | 一般社団法人電子情報通信学会 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプresource | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| タイプ | journal article | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 関連情報 | ||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110008800857/ | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
| 収録物識別子 | 09135685 | |||||
| 書誌情報 |
ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 巻 111, 号 114, p. 63-68, 発行日 2011-06-27 |
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| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | publisher | |||||
| URI | ||||||
| 識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110008800857/ | |||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| URI | ||||||
| 識別子 | http://hdl.handle.net/2237/23574 | |||||
| 識別子タイプ | HDL | |||||
