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  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200a 雑誌掲載論文
  3. 学術雑誌

金属/GeO_2界面における化学結合状態の光電子分光分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

http://hdl.handle.net/2237/23574
http://hdl.handle.net/2237/23574
ca5ba466-36cd-42e1-8a35-d81e07656c2b
名前 / ファイル ライセンス アクション
110008800857.pdf 110008800857.pdf (760.7 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2016-02-24
タイトル
タイトル 金属/GeO_2界面における化学結合状態の光電子分光分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
言語 ja
その他のタイトル
その他のタイトル Photoemission Study of Chemical Bonding Features at Metal/GeO_2 Interfaces
言語 en
著者 松井, 真史

× 松井, 真史

WEKO 62274

ja 松井, 真史

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藤岡, 知宏

× 藤岡, 知宏

WEKO 62275

ja 藤岡, 知宏

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大田, 晃生

× 大田, 晃生

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ja 大田, 晃生

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村上, 秀樹

× 村上, 秀樹

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ja 村上, 秀樹

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東, 清一郎

× 東, 清一郎

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ja 東, 清一郎

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宮崎, 誠一

× 宮崎, 誠一

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ja 宮崎, 誠一

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Matsui, Masafumi

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en Matsui, Masafumi

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Fujioka, Tomohiro

× Fujioka, Tomohiro

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en Fujioka, Tomohiro

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Ohta, Akio

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Murakami, Hideki

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Higashi, Seiichiro

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Miyazaki, Seiichi

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en Miyazaki, Seiichi

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利
言語 ja
権利情報 (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
キーワード
主題Scheme Other
主題 Geチャネル
キーワード
主題Scheme Other
主題 サブオキサイド
キーワード
主題Scheme Other
主題 界面反応
キーワード
主題Scheme Other
主題 化学結合状態
キーワード
主題Scheme Other
主題 X線光電子分光法
キーワード
主題Scheme Other
主題 Ge-channel
キーワード
主題Scheme Other
主題 Sub-oxide
キーワード
主題Scheme Other
主題 Interfacial Reaction
キーワード
主題Scheme Other
主題 Chemical Bonding Features
キーワード
主題Scheme Other
主題 X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)
抄録
内容記述 熱酸化により形成したGeO_2/Ge(100)界面および金属(Al,AuおよびPt)薄膜形成後のGeO_2との界面化学結合状態をXPS分析により評価した。室温のAl蒸着において、GeO_2初期膜厚(>〜1nm)に関わらず、厚さ〜1nm程度GeO_2が還元されることが明らかになった。初期GeO_2膜厚が1.0nm程度の場合にはGeO_2からAlへの酸素原子の拡散が支配的であり、GeO_2膜厚が1.9nm以上の場合は酸素原子拡散に加えてAl-Ge結合の形成が明瞭に観測された。また、極薄AuおよびPtを熱酸化GeO_2上に堆積した場合、金属/GeO_2界面に熱酸化GeO_2/Ge界面と同等量のサブオキサイド成分(GeO_x:0<x<2)の形成を確認した。
言語 ja
内容記述タイプ Abstract
抄録
内容記述 We have investigated chemical bonding features at thermally-grown GeO_2/Ge(100) and metals (Al, Au and Pt)/GeO_2 interfaces by using high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). After the Al evaporation on GeO_2 thicker than 1.9nm initially, a reduction of GeO_2 accompanied with the generation of Al-Ge bonds was observed near the interface between Al and GeO_2. From the deconvolution of measured Ge3ds/2 spectra taken after physical vapor deposition of Au- and Pt-ultrathin films on thermally-grown GeO_2, we have confirmed the formation of Ge sub-oxide components (GeO_x 0<x<2) at the metal/GeO_2 interfaces being quantitatively comparable to sub-oxides at the thermally-grown GeO_2/Ge(100) interface.
言語 en
内容記述タイプ Abstract
出版者
言語 ja
出版者 一般社団法人電子情報通信学会
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプresource http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110008800857/
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 09135685
書誌情報 ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻 111, 号 114, p. 63-68, 発行日 2011-06-27
著者版フラグ
値 publisher
URI
識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110008800857/
識別子タイプ URI
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/23574
識別子タイプ HDL
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Ver.1 2021-03-01 15:22:32.648086
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