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アイテム
Ge(100)表面の極薄TiO_xキャッピングによるHfO_2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
http://hdl.handle.net/2237/23580
http://hdl.handle.net/2237/235809a158738-c5d6-4c10-a430-f62250a12864
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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110008800854.pdf (674.1 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2016-02-24 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Ge(100)表面の極薄TiO_xキャッピングによるHfO_2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) | |||||
| 言語 | ja | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Control of Interfacial Reactions in HfO_2 Atomic-Layer-Deposition on Ge(100) and Post-deposition Anneal with Ultrathin TiO_x Capping on Ge(100) | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者 |
村上, 秀樹
× 村上, 秀樹× 藤岡, 知宏× 大田, 晃生× 三嶋, 健斗× 東, 清一郎× 宮崎, 誠一× MURAKAMI, Hideki× FUJIOKA, Tomohiro× OHTA, Akio× MISHIMA, Kento× HIGASHI, Seiichiro× MIYAZAKI, Seiichi |
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| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
| 権利 | ||||||
| 言語 | ja | |||||
| 権利情報 | (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Geチャネル | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | ALD | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 界面反応 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 化学結合状態 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | X線光電子分光法 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Ge-Channel | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Atomic Layer Deposition | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Interfacial Reaction | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Chemical Bonding Feature | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO_2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO_2の原子層制御CVDを検討した。さらに、誘電率低下の要因となるGe界面酸化層の形成の抑制を目指し、TEMAT錯体の飽和吸着と熱分解の繰り返しにより極薄低酸化TiO_x(x<2)層をGe(100)基板上に形成後、HfO_2層を原子層制御堆積した。熱処理前後でX線光電子分光法(XPS)を用いて界面反応を評価した結果、厚さ〜2nm以上のTiO_x挿入によりHfO_2膜中への顕著なGe原子の拡散を抑制可能であることを明らかとした。 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | To control interfacial reaction between high-k dielectric and Ge(100) we focused on insertion of TiO_x ultrathin layer with a high permittivity(ε: 50-80) as a interfacial barrier layer and studied atomic-layer controlled CVD process of TiO_2 on HC1-treated Ge(100). In order to suppress the growth of GeO_x layer with a low permittivity during the formation of high-k dielectric such as HfO_2, TiO_x (x<2) ultrathin layers were formed on Ge(100) by repeating saturated adsorption of TEMAT and its thermal decomposition. X-ray photoelectron spectroscopy after HfO_2 layer formation on TiO_x/Ge(100) show that Ge atoms diffusion in the HfO_2 layer is efficiently suppressed by inserting TiO_x thicker than 2nm. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 一般社団法人電子情報通信学会 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプresource | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| タイプ | journal article | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 関連情報 | ||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110008800854/ | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
| 収録物識別子 | 09135685 | |||||
| 書誌情報 |
ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 巻 111, 号 114, p. 47-50, 発行日 2011-06-27 |
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| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | publisher | |||||
| URI | ||||||
| 識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110008800854/ | |||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| URI | ||||||
| 識別子 | http://hdl.handle.net/2237/23580 | |||||
| 識別子タイプ | HDL | |||||
