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  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200a 雑誌掲載論文
  3. 学術雑誌

Ge(100)表面の極薄TiO_xキャッピングによるHfO_2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

http://hdl.handle.net/2237/23580
http://hdl.handle.net/2237/23580
9a158738-c5d6-4c10-a430-f62250a12864
名前 / ファイル ライセンス アクション
110008800854.pdf 110008800854.pdf (674.1 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2016-02-24
タイトル
タイトル Ge(100)表面の極薄TiO_xキャッピングによるHfO_2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
言語 ja
その他のタイトル
その他のタイトル Control of Interfacial Reactions in HfO_2 Atomic-Layer-Deposition on Ge(100) and Post-deposition Anneal with Ultrathin TiO_x Capping on Ge(100)
言語 en
著者 村上, 秀樹

× 村上, 秀樹

WEKO 62294

ja 村上, 秀樹

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藤岡, 知宏

× 藤岡, 知宏

WEKO 62295

ja 藤岡, 知宏

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大田, 晃生

× 大田, 晃生

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ja 大田, 晃生

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三嶋, 健斗

× 三嶋, 健斗

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ja 三嶋, 健斗

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東, 清一郎

× 東, 清一郎

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ja 東, 清一郎

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宮崎, 誠一

× 宮崎, 誠一

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ja 宮崎, 誠一

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MURAKAMI, Hideki

× MURAKAMI, Hideki

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FUJIOKA, Tomohiro

× FUJIOKA, Tomohiro

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OHTA, Akio

× OHTA, Akio

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MISHIMA, Kento

× MISHIMA, Kento

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en MISHIMA, Kento

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HIGASHI, Seiichiro

× HIGASHI, Seiichiro

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MIYAZAKI, Seiichi

× MIYAZAKI, Seiichi

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en MIYAZAKI, Seiichi

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利
言語 ja
権利情報 (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
キーワード
主題Scheme Other
主題 Geチャネル
キーワード
主題Scheme Other
主題 ALD
キーワード
主題Scheme Other
主題 界面反応
キーワード
主題Scheme Other
主題 化学結合状態
キーワード
主題Scheme Other
主題 X線光電子分光法
キーワード
主題Scheme Other
主題 Ge-Channel
キーワード
主題Scheme Other
主題 Atomic Layer Deposition
キーワード
主題Scheme Other
主題 Interfacial Reaction
キーワード
主題Scheme Other
主題 Chemical Bonding Feature
キーワード
主題Scheme Other
主題 X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO_2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO_2の原子層制御CVDを検討した。さらに、誘電率低下の要因となるGe界面酸化層の形成の抑制を目指し、TEMAT錯体の飽和吸着と熱分解の繰り返しにより極薄低酸化TiO_x(x<2)層をGe(100)基板上に形成後、HfO_2層を原子層制御堆積した。熱処理前後でX線光電子分光法(XPS)を用いて界面反応を評価した結果、厚さ〜2nm以上のTiO_x挿入によりHfO_2膜中への顕著なGe原子の拡散を抑制可能であることを明らかとした。
言語 ja
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 To control interfacial reaction between high-k dielectric and Ge(100) we focused on insertion of TiO_x ultrathin layer with a high permittivity(ε: 50-80) as a interfacial barrier layer and studied atomic-layer controlled CVD process of TiO_2 on HC1-treated Ge(100). In order to suppress the growth of GeO_x layer with a low permittivity during the formation of high-k dielectric such as HfO_2, TiO_x (x<2) ultrathin layers were formed on Ge(100) by repeating saturated adsorption of TEMAT and its thermal decomposition. X-ray photoelectron spectroscopy after HfO_2 layer formation on TiO_x/Ge(100) show that Ge atoms diffusion in the HfO_2 layer is efficiently suppressed by inserting TiO_x thicker than 2nm.
言語 en
出版者
出版者 一般社団法人電子情報通信学会
言語 ja
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプresource http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110008800854/
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 09135685
書誌情報 ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻 111, 号 114, p. 47-50, 発行日 2011-06-27
著者版フラグ
値 publisher
URI
識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110008800854/
識別子タイプ URI
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/23580
識別子タイプ HDL
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Ver.1 2021-03-01 15:22:30.769550
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