WEKO3
アイテム
TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
http://hdl.handle.net/2237/23588
http://hdl.handle.net/2237/235886e8c5e96-e36e-47e1-88cd-5fef461170f5
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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110009588301.pdf (601.0 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2016-02-24 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) | |||||
| 言語 | ja | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Interface Reaction Control of HfO_2/Ge structure by an Insertion of TaO_x layer | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者 |
村上, 秀樹
× 村上, 秀樹× 三嶋, 健斗× 大田, 晃生× 橋本, 邦明× 東, 清一郎× 宮崎, 誠一× MURAKAMI, Hideki× MISHIMA, Kento× OHTA, Akio× HASHIMOTO, Kuniaki× HIGASHI, Seiichiro× MIYAZAKI, Seiichi |
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| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
| 権利 | ||||||
| 言語 | ja | |||||
| 権利情報 | (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | ゲルマニウム | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | High-k | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 界面層 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | MOCVD | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Germanium | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | interfacial layer | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | GeチャネルMISFET実現のために必要不可欠なHigh-k/Ge界面制御手法として、極薄TaOx層の挿入に着目し、Ge表面へのTaO_xのMOCVDによるLayer-by-Layer成膜を行い、界面近傍の化学結合状態について評価を行った。その結果、HfO_2/Ge界面に形成したTaO_x挿入層/Ge界面近傍で成膜中および成膜後の熱負荷によるTaO_x層中へのGeの拡散が確認されるものの、厚さ〜1nm以上のTaO_x挿入が、誘電率低下の要因となるGe界面酸化層の形成抑制に有効であることが明らかとなった。また、Ge拡散により界面に形成されたTaGe_xO_y層の比誘電率は、GeO_2の値の約1.7倍の9であることから、EOT低減に効果的であることを明らかにした。 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | To control interfacial reaction between high-k dielectric and Ge, we have focused on an insertion of TaO_x ultrathin layer as an interfacial barrier layer and studied MOCVD process of TaO_x with layer-by-layer fashion on Ge surface. XPS analyses show that Ge atoms diffuses into TaO_x layer during the formation of HfO_2 and cofirm that the Ge-oxide growth during atomic layer deposition of HfO_2 is effectively suppressed by inserting TaO_x layer thicker than 1nm. The dielectric constant of TaGe_xO_y layer formed by Ge atoms diffusion into TaO_x layer was determined to be 〜9 being larger by a factor of 1.7 than that of GeO_2 (ε〜5.2). | |||||
| 言語 | en | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 一般社団法人電子情報通信学会 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプresource | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| タイプ | journal article | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 関連情報 | ||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588301/ | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0913-5685 | |||||
| 書誌情報 |
ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 巻 112, 号 92, p. 33-36, 発行日 2012-06-14 |
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| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | publisher | |||||
| URI | ||||||
| 識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588301/ | |||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| URI | ||||||
| 識別子 | http://hdl.handle.net/2237/23588 | |||||
| 識別子タイプ | HDL | |||||
