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  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200a 雑誌掲載論文
  3. 学術雑誌

TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

http://hdl.handle.net/2237/23588
http://hdl.handle.net/2237/23588
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名前 / ファイル ライセンス アクション
110009588301.pdf 110009588301.pdf (601.0 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2016-02-24
タイトル
タイトル TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
言語 ja
その他のタイトル
その他のタイトル Interface Reaction Control of HfO_2/Ge structure by an Insertion of TaO_x layer
言語 en
著者 村上, 秀樹

× 村上, 秀樹

WEKO 62368

ja 村上, 秀樹

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三嶋, 健斗

× 三嶋, 健斗

WEKO 62369

ja 三嶋, 健斗

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大田, 晃生

× 大田, 晃生

WEKO 62370

ja 大田, 晃生

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橋本, 邦明

× 橋本, 邦明

WEKO 62371

ja 橋本, 邦明

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東, 清一郎

× 東, 清一郎

WEKO 62372

ja 東, 清一郎

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宮崎, 誠一

× 宮崎, 誠一

WEKO 62373

ja 宮崎, 誠一

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MURAKAMI, Hideki

× MURAKAMI, Hideki

WEKO 62374

en MURAKAMI, Hideki

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MISHIMA, Kento

× MISHIMA, Kento

WEKO 62375

en MISHIMA, Kento

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OHTA, Akio

× OHTA, Akio

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en OHTA, Akio

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HASHIMOTO, Kuniaki

× HASHIMOTO, Kuniaki

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en HASHIMOTO, Kuniaki

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HIGASHI, Seiichiro

× HIGASHI, Seiichiro

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en HIGASHI, Seiichiro

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MIYAZAKI, Seiichi

× MIYAZAKI, Seiichi

WEKO 62379

en MIYAZAKI, Seiichi

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利
言語 ja
権利情報 (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
キーワード
主題Scheme Other
主題 ゲルマニウム
キーワード
主題Scheme Other
主題 High-k
キーワード
主題Scheme Other
主題 界面層
キーワード
主題Scheme Other
主題 MOCVD
キーワード
主題Scheme Other
主題 Germanium
キーワード
主題Scheme Other
主題 interfacial layer
抄録
内容記述 GeチャネルMISFET実現のために必要不可欠なHigh-k/Ge界面制御手法として、極薄TaOx層の挿入に着目し、Ge表面へのTaO_xのMOCVDによるLayer-by-Layer成膜を行い、界面近傍の化学結合状態について評価を行った。その結果、HfO_2/Ge界面に形成したTaO_x挿入層/Ge界面近傍で成膜中および成膜後の熱負荷によるTaO_x層中へのGeの拡散が確認されるものの、厚さ〜1nm以上のTaO_x挿入が、誘電率低下の要因となるGe界面酸化層の形成抑制に有効であることが明らかとなった。また、Ge拡散により界面に形成されたTaGe_xO_y層の比誘電率は、GeO_2の値の約1.7倍の9であることから、EOT低減に効果的であることを明らかにした。
言語 ja
内容記述タイプ Abstract
抄録
内容記述 To control interfacial reaction between high-k dielectric and Ge, we have focused on an insertion of TaO_x ultrathin layer as an interfacial barrier layer and studied MOCVD process of TaO_x with layer-by-layer fashion on Ge surface. XPS analyses show that Ge atoms diffuses into TaO_x layer during the formation of HfO_2 and cofirm that the Ge-oxide growth during atomic layer deposition of HfO_2 is effectively suppressed by inserting TaO_x layer thicker than 1nm. The dielectric constant of TaGe_xO_y layer formed by Ge atoms diffusion into TaO_x layer was determined to be 〜9 being larger by a factor of 1.7 than that of GeO_2 (ε〜5.2).
言語 en
内容記述タイプ Abstract
出版者
言語 ja
出版者 一般社団法人電子情報通信学会
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプresource http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588301/
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0913-5685
書誌情報 ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻 112, 号 92, p. 33-36, 発行日 2012-06-14
著者版フラグ
値 publisher
URI
識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588301/
識別子タイプ URI
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/23588
識別子タイプ HDL
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Ver.1 2021-03-01 15:22:21.028007
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