WEKO3
アイテム
Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy
http://hdl.handle.net/2237/00028516
http://hdl.handle.net/2237/00028516d96b8bd7-7b88-4e13-9bdc-84481e4cd7a6
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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![]() |
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Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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公開日 | 2018-08-20 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy | |||||
言語 | en | |||||
著者 |
Yang, Xu
× Yang, Xu× Nitta, Shugo× Pristovsek, Markus× Liu, Yuhuai× Nagamatsu, Kentaro× Kushimoto, Maki× Honda, Yoshio× Amano, Hiroshi |
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アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
権利 | ||||||
言語 | en | |||||
権利情報 | © 2018 The Japan Society of Applied Physics | |||||
抄録 | ||||||
内容記述 | Hexagonal boron nitride (h-BN) films directly grown on c-plane sapphire substrates by pulsed-mode metalorganic vapor phase epitaxy exhibit an interlayer for growth temperatures above 1200 °C. Cross-sectional transmission electron microscopy shows that this interlayer is amorphous, while the crystalline h-BN layer above has a distinct orientational relationship with the sapphire substrate. Electron energy loss spectroscopy shows the energy-loss peaks of B and N in both the amorphous interlayer and the overlying crystalline h-BN layer, while Al and O signals are also seen in the amorphous interlayer. Thus, the interlayer forms during h-BN growth through the decomposition of the sapphire at elevated temperatures. | |||||
言語 | en | |||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | ||||||
内容記述 | ファイル公開:2019/05/01 | |||||
言語 | ja | |||||
内容記述タイプ | Other | |||||
出版者 | ||||||
言語 | en | |||||
出版者 | IOP publishing | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプresource | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
タイプ | journal article | |||||
出版タイプ | ||||||
出版タイプ | AM | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||
DOI | ||||||
関連タイプ | isVersionOf | |||||
識別子タイプ | DOI | |||||
関連識別子 | https://doi.org/10.7567/APEX.11.051002 | |||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
収録物識別子 | 1882-0778 | |||||
書誌情報 |
en : Applied Physics Express 巻 11, 号 5, p. 051002, 発行日 2018-05 |
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著者版フラグ | ||||||
値 | author |