ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. H200 未来材料・システム研究所
  2. H200a 雑誌掲載論文
  3. 学術雑誌

Wurtzite AlP y N1-y : a new III-V compound semiconductor lattice-matched to GaN (0001)

http://hdl.handle.net/2237/00033497
http://hdl.handle.net/2237/00033497
0be91a69-b01f-4728-85ca-2ed01f28fc1b
名前 / ファイル ライセンス アクション
AlPN-V23.pdf AlPN-V23 (935.7 kB)
supplemental-Pristovsek-APEX.pdf supplemental-Pristovsek-APEX (479.5 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2021-02-09
タイトル
タイトル Wurtzite AlP y N1-y : a new III-V compound semiconductor lattice-matched to GaN (0001)
言語 en
著者 Pristovsek, Markus

× Pristovsek, Markus

WEKO 103341

en Pristovsek, Markus

Search repository
van Dinh, Duc

× van Dinh, Duc

WEKO 103342

en van Dinh, Duc

Search repository
Liu, Ting

× Liu, Ting

WEKO 103343

en Liu, Ting

Search repository
Ikarashi, Nobuyuki

× Ikarashi, Nobuyuki

WEKO 103344

en Ikarashi, Nobuyuki

Search repository
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利
言語 en
権利情報 This is the Accepted Manuscript version of an article accepted for publication in [Applied Physics Express].IOP Publishing Ltd is not responsible for any errors or omissions in this version of the manuscript or any version derived from it. The Version of Record is available online at [10.35848/1882-0786/abbbca]
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 We report on a new member of the III-nitride family, wurtzite AlPyN1−y, tensile strained, or lattice matching (at ≈10.6% P) on (0001) GaN. Unlike lattice-matched AlInN, AlPyN1−y can be grown between 1050 °C to 1250 °C under hydrogen atmosphere in metal-organic vapor phase epitaxy. The transition from GaN to AlPyN1−y is sharp, there is no Ga carry over. Due to the small P content, physical properties like bandgap (around 5.5 eV for lattice match), dielectric function, or polarisation are close to AlN. A first unoptimized AlPN/GaN heterostructure shows a low sheet resistance of 150±50Ω/□, which makes AlPyN1−y promising for electronic applications.
言語 en
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 ファイル公開:2021-11-01
言語 ja
出版者
出版者 IOP publishing
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプresource http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.35848/1882-0786/abbbca
ISSN(print)
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 1882-0778
書誌情報 en : Applied Physics Express

巻 13, 号 11, p. 111001, 発行日 2020-11
著者版フラグ
値 author
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2021-03-01 08:23:30.357662
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR 2.0
  • OAI-PMH JPCOAR 1.0
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3