WEKO3
アイテム
原子層堆積Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価
http://hdl.handle.net/2237/23510
http://hdl.handle.net/2237/23510c003dda6-1bd2-469b-a320-1ce1fb3a3f11
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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110008726168.pdf (758.1 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2016-02-22 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 原子層堆積Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Fabrication of AlGaN/GaN MOSFETs with Al2O3 gate oxide deposited by atomic layer deposition | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者 |
宮崎, 英志
× 宮崎, 英志× 合田, 祐司× 岸本, 茂× 水谷, 孝× Miyazaki, Eiji× Gouda, Takeshi× Kishimoto, Shigeru× Mizutani, Takashi |
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| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
| 権利 | ||||||
| 言語 | ja | |||||
| 権利情報 | (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Al203/AlGaN/GaN MOSFET | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 硫化アンモニウム | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 界面準位密度 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | (NH4)2S | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | interface trap density | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al_2O_3成膜前の前処理として(NH_4)_2S(硫化アンモニウム)処理を検討した。まず初めに、Al_2O_3/n-GaN MOSダイオードを用いて、(NH_4)_2S処理の効果を検討した所、Al_2O_3成膜前に(NH_4)_2S処理を行うことでC-Vカーブの傾きが(NH_4)_2S処理なしに比べて急峻になり、界面準位密度も低減した。次に本(NH_4)_2S処理をAl_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETに適用したところ、I_D,g_m-V_<GS>特性におけるヒステリシスが減少し、また大きなゲート電圧におけるI_Dの上詰まりも改善した。これらの結果は硫化アンモニウム処理により、Al_2O_3/AlGaN界面の界面準位密度が低減したことを示唆している。またさらなる界面品質の向上を目指して、C-V測定後アニールを行ったところ、C-Vカーブの立ち上がりが正側にシフトし、界面準位密度も低減した。 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | We have introduced (NH_4)_2S surface treatments before the deposition of the Al_2O_3 gate oxide to improve the electrical properties of Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETs. Firstly, the effect of (NH_4)_2S surface treatment was studied using Al_2O_3/GaN MOS diodes. The slope in the C-V curve of the MOS diodes with (NH_4)_2S surface treatments was steeper than that of the devices without (NH_4)_2S. In addition, Al_2O_3/GaN interface trap density was decreased by (NH_4)_2S surface treatments. The hysteresis of the Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFET with (NH_4)_2S surface treatments in I_D-V_<GS> and g_m-V_<GS> characteristics was smaller than that of the device without (NH_4)_2S surface treatments. In addition, the current saturation in I_D-V_<GS> characteristics at a large gate voltage is relaxed. These results indicate that Al_2O_3/AlGaN interface trap density is decreased by (NH_4)_2S surface treatments. The annealing of the MOS diodes was shown to be effective in improving the interface quality of the MOS diodes. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | IEICE Technical Report;ED2011-36, IEICE Technical Report;CPM2011-43, IEICE Technical Report;SDM2011-49 | |||||
| 言語 | en | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 一般社団法人電子情報通信学会 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 関連情報 | ||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110008726168/ | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0913-5685 | |||||
| 書誌情報 |
ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 巻 111, 号 46, p. 185-190, 発行日 2011-05 |
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| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | publisher | |||||
| URI | ||||||
| 識別子 | http://hdl.handle.net/2237/23510 | |||||
| 識別子タイプ | HDL | |||||
