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  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200a 雑誌掲載論文
  3. 学術雑誌

原子層堆積Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価

http://hdl.handle.net/2237/23510
http://hdl.handle.net/2237/23510
c003dda6-1bd2-469b-a320-1ce1fb3a3f11
名前 / ファイル ライセンス アクション
110008726168.pdf 110008726168.pdf (758.1 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2016-02-22
タイトル
タイトル 原子層堆積Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価
言語 ja
その他のタイトル
その他のタイトル Fabrication of AlGaN/GaN MOSFETs with Al2O3 gate oxide deposited by atomic layer deposition
言語 en
著者 宮崎, 英志

× 宮崎, 英志

WEKO 61713

ja 宮崎, 英志

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合田, 祐司

× 合田, 祐司

WEKO 61714

ja 合田, 祐司

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岸本, 茂

× 岸本, 茂

WEKO 61715

ja 岸本, 茂

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水谷, 孝

× 水谷, 孝

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ja 水谷, 孝

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Miyazaki, Eiji

× Miyazaki, Eiji

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en Miyazaki, Eiji

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Gouda, Takeshi

× Gouda, Takeshi

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en Gouda, Takeshi

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Kishimoto, Shigeru

× Kishimoto, Shigeru

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en Kishimoto, Shigeru

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Mizutani, Takashi

× Mizutani, Takashi

WEKO 61720

en Mizutani, Takashi

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利
言語 ja
権利情報 (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
キーワード
主題Scheme Other
主題 Al203/AlGaN/GaN MOSFET
キーワード
主題Scheme Other
主題 硫化アンモニウム
キーワード
主題Scheme Other
主題 界面準位密度
キーワード
主題Scheme Other
主題 (NH4)2S
キーワード
主題Scheme Other
主題 interface trap density
抄録
内容記述 Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al_2O_3成膜前の前処理として(NH_4)_2S(硫化アンモニウム)処理を検討した。まず初めに、Al_2O_3/n-GaN MOSダイオードを用いて、(NH_4)_2S処理の効果を検討した所、Al_2O_3成膜前に(NH_4)_2S処理を行うことでC-Vカーブの傾きが(NH_4)_2S処理なしに比べて急峻になり、界面準位密度も低減した。次に本(NH_4)_2S処理をAl_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETに適用したところ、I_D,g_m-V_<GS>特性におけるヒステリシスが減少し、また大きなゲート電圧におけるI_Dの上詰まりも改善した。これらの結果は硫化アンモニウム処理により、Al_2O_3/AlGaN界面の界面準位密度が低減したことを示唆している。またさらなる界面品質の向上を目指して、C-V測定後アニールを行ったところ、C-Vカーブの立ち上がりが正側にシフトし、界面準位密度も低減した。
言語 ja
内容記述タイプ Abstract
抄録
内容記述 We have introduced (NH_4)_2S surface treatments before the deposition of the Al_2O_3 gate oxide to improve the electrical properties of Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETs. Firstly, the effect of (NH_4)_2S surface treatment was studied using Al_2O_3/GaN MOS diodes. The slope in the C-V curve of the MOS diodes with (NH_4)_2S surface treatments was steeper than that of the devices without (NH_4)_2S. In addition, Al_2O_3/GaN interface trap density was decreased by (NH_4)_2S surface treatments. The hysteresis of the Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFET with (NH_4)_2S surface treatments in I_D-V_<GS> and g_m-V_<GS> characteristics was smaller than that of the device without (NH_4)_2S surface treatments. In addition, the current saturation in I_D-V_<GS> characteristics at a large gate voltage is relaxed. These results indicate that Al_2O_3/AlGaN interface trap density is decreased by (NH_4)_2S surface treatments. The annealing of the MOS diodes was shown to be effective in improving the interface quality of the MOS diodes.
言語 en
内容記述タイプ Abstract
内容記述
内容記述 IEICE Technical Report;ED2011-36, IEICE Technical Report;CPM2011-43, IEICE Technical Report;SDM2011-49
言語 en
内容記述タイプ Other
出版者
言語 ja
出版者 一般社団法人電子情報通信学会
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプresource http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110008726168/
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0913-5685
書誌情報 ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻 111, 号 46, p. 185-190, 発行日 2011-05
著者版フラグ
値 publisher
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/23510
識別子タイプ HDL
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Ver.1 2021-03-01 15:24:59.337749
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